15:15 〜 15:30 [11p-N305-7] フル4H-SiC画素デバイスの紫外線照射下動作特性 〇黒木 伸一郎1、西垣内 健汰1、目黒 達也1、武山 昭憲2、大島 武2、田中 保宣3 (1.広島大ナノデバイス、2.量研、3.産総研)