10:00 〜 10:15 △ [12a-S203-5] 4H-SiC(0001)基板を用いたTi2O3薄膜の合成 〇(M2)宮崎 悟1、吉松 公平1、長谷川 直人1、組頭 広志1 (1.東北大多元研)