上村崇史

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発表者・著者、共著者

2021年9月12日(日) 13:30 〜 17:15 N305 (口頭)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12p-N305-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:45 〜 17:00

[12p-N305-13] サブミクロン Ga₂O₃ MOSFETの高周波パワー特性

〇上村崇史¹、Roberto Quaglia²、Martin Kuball³、Paul Tasker²、東脇正高¹ (1.情通機構、2.Cardiff Univ.、3.Univ. of Bristol)