14:15 〜 14:30 [12p-N305-4] MgドープGaN層の厚さを変えて電荷濃度を制御したp型GaN/AlGaN/GaNダイオードの耐圧特性 〇(M2)川田 宗一郎1、Zhang Yuwei1、岩田 直高1 (1.豊田工大)