09:15 〜 09:30 [13a-N101-2] RF-MBE法を用いたScAlMgO4基板上InGaNエピタキシャル成長Ⅱ 〇(D)後藤 直樹1、栢本 聖也1、黒田 悠弥1、和田 邑一1、藤井 高志1,2、毛利 真一郎1、白石 佑児2、福田 承生2、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.(株)福田結晶研)