一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:00 〜 09:15
〇小松 遊矢1、清水 亮太1、ビルデ マーカス2、西尾 和記1、福谷 克之2,3、一杉 太郎1 (1.東工大物質理工、2.東大生産研、3.原子力機構)
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09:15 〜 09:30
〇(D)Binjie Chen1、Gowoon Kim1、Hai Jun Cho1,2、Hiromichi Ohta1,2 (1.IST, Hokkaido Univ、2.RIES, Hokkaido Univ)
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09:30 〜 09:45
〇木村 考岐1、蜂谷 寛1、佐川 尚1 (1.京大エネ)
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09:45 〜 10:00
〇志賀 大亮1,2、神田 龍彦1、長谷川 直人1、北村 未歩2、堀場 弘司2、吉松 公平1、組頭 広志1,2 (1.東北大多元研、2.KEK物構研)
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10:00 〜 10:15
〇(M2)宮崎 悟1、吉松 公平1、長谷川 直人1、組頭 広志1 (1.東北大多元研)
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10:30 〜 10:45
〇(D)長谷川 直人1、吉松 公平1、志賀 大亮1、神田 龍彦1、宮崎 悟1、北村 未歩2、堀場 弘司2、組頭 広志1,2 (1.東北大多元研、2.KEK 物構研)
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10:45 〜 11:00
〇伊藤 宏陽1、藤田 貴啓1、川﨑 雅司1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)
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11:00 〜 11:15
〇(P)Ramchandra Sahoo1、Shutong Zhang1、Yuu Takeuchi1、Akira Ohtomo1,2 (1.Tokyo Tech., Dept. Chem. Sci. Eng.、2.Tokyo Tech., MCES)
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11:15 〜 11:30
〇(DC)Qian Yang1、Haijun Cho2、Hyoungjeen Jeen3、Hiromichi Ohta2 (1.IST-Hokkaido Univ.、2.RIES-Hokkaido Univ.、3.Pusan Nat'l Univ.)
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