一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
13:00 〜 13:15
〇(M2)菅原 広太1,2、菅 洋志1,2、内藤 泰久1、島 久1、秋永 広幸1 (1.産総研、2.千葉工大)
スケジュール
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13:15 〜 13:30
〇(M1)高田 文朝1、福島 吉顕1、土屋 敬志2、樋口 透1 (1.東理大、2.物材機構)
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13:30 〜 13:45
〇村上 大晟1,2、大澤 健男1、石垣 隆正2、大橋 直樹1 (1.物材機構、2.法政大院理工)
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13:45 〜 14:00
〇(DC)宮谷 俊輝1、木本 恒暢1、西 佑介1,2 (1.京大院工、2.舞鶴高専)
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14:00 〜 14:15
〇井室 充登1、木本 恒暢1、西 佑介1,2 (1.京大院工、2.舞鶴高専)
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14:15 〜 14:30
〇(M2)當山 啓斗1、秋山 竜介1、結城 賢采1、相川 慎也1 (1.工学院大工)
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14:30 〜 14:45
〇(DC)GOWOON KIM1、Hai Jun Cho2、Hiromichi Ohta2 (1.IST-Hokkaido University、2.RIES-Hokkaido University)
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14:45 〜 15:00
〇矢島 達也1、相馬 拓人1、大友 明1,2 (1.東工大物質理工、2.元素戦略)
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15:15 〜 15:30
〇椿 啓司1、福地 厚1、高橋 庸夫1、片瀬 貴義2、神谷 利夫2、有田 正志1 (1.北大院情報、2.東工大フロ研)
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15:30 〜 15:45
〇(P)Xi Zhang1、Yuqiao Zhang1、Liao Wu2、Hai Jun Cho1、Hiromichi Ohta1 (1.RIES Hokkaido Univ.、2.IST Hokkaido Univ.)
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15:45 〜 16:00
〇李 邱穆1、重松 圭1,2、東 正樹1,2 (1.東工大フロンティア材料研、2.KISTEC)
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16:00 〜 16:15
〇(M2)金子 健太1、庄司 拓貴1、大賀 友瑛1、金子 智2,1、吉本 護1、松田 晃史1 (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)
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16:15 〜 16:30
〇内田 直理1、相馬 拓人1、大友 明1,2 (1.東工大物質理工、2.元素戦略)
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