一般セッション(口頭講演)

[10a-N303-1~11] 13.8 光物性・発光デバイス

2021年9月10日(金) 09:00 〜 11:45 N303 (口頭)

七井靖(防衛大)、中西貴之(物材機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[10a-N303-1] パイロシリケート型酸化物シンチレータの研究

〇黒澤俊介^1,2、山路晃広^1,2、村上力輝斗^3,2、庄子育宏^1,3、吉川彰^3,2,1 (1.東北大NICHe、2.東北大金研、3.C&A)

09:15 〜 09:30

[10a-N303-2] XAFS実験によって調べた希土類イオンの光照射価数変化と占有サイト

〇北浦守¹、渡邊真太²、中西貴之³、石崎学¹、伊奈稔哲⁴、東晃太郎⁴、河村直己⁴、瀬戸山寛之⁵、松嶋雄太¹、國本崇⁶、大西彰正¹ (1.山形大、2.東工大、3.NIMS、4.JASRI、5.SAGA-LS、6.徳島文理大)

09:30 〜 09:45

▲ [10a-N303-3] Insights into the saturation mechanism of LED phosphors

〇Jian Xu¹、 Kohsei Takahashi¹、 Takayuki Nakanishi¹、 Takashi Takeda¹、 Naoto Hirosaki¹ (1.NIMS)

09:45 〜 10:00

[10a-N303-4] βサイアロン蛍光体の発光中心位置の解明

〇武田隆史¹、舟橋司朗¹、高橋向星¹、広崎尚登¹ (1.物材機構)

10:00 〜 10:15

[10a-N303-5] 青色発光を示すA_mX_m+₁型新規酸窒化物蛍光体

〇舟橋司朗¹、道上勇一¹、武田隆史¹、広崎尚登¹ (1.物材機構)

10:15 〜 10:30

[10a-N303-6] 密度汎関数法によるEu²⁺賦活蛍光体のストークスシフトの定量評価

〇日浦恒星¹、武田隆史²、小山幸典²、池野豪一¹ (1.阪府大工、2.物材機構)

10:30 〜 10:45

[10a-N303-7] 酸フッ化物ガラスの核形成に及ぼす希土類イオンの効果と冷却過程でのアップコンバージョンナノ結晶析出

〇篠崎健二^1,2 (1.産総研、2.JSTさきがけ)

10:45 〜 11:00

[10a-N303-8] 可視光励起によるRE₂BaZnO₅ (RE = Y, La): Pr³⁺ の紫外発光特性

〇岡本尚大¹、岩崎智志¹、田村加奈葉¹、佐俣博章¹ (1.神戸大海事)

11:00 〜 11:15

[10a-N303-9] SrLaZnO_3.5をホストとした双方向波長変換膜のa-Si太陽電池への応用

〇首藤利来¹、佐俣博章¹ (1.神戸大海事)

11:15 〜 11:30

[10a-N303-10] Alリン酸塩化合物におけるO-F八面体中のTi⁴⁺の発光特性

〇(M2)細井飛呂¹、佐俣博章¹ (1.神戸大海事)

11:30 〜 11:45

[10a-N303-11] ドライトマトから単離・精製されたリコペンを用いる緑色蛍光薄膜作製方法の検討

〇松倉秀一郎¹、大谷直毅¹ (1.同志社理工)

一般セッション(口頭講演)

[10p-N303-1~19] 13.8 光物性・発光デバイス

2021年9月10日(金) 13:30 〜 18:30 N303 (口頭)

加藤有行(長岡技科大)、舘林潤(阪大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 13:45

[10p-N303-1] PbS/CdS量子ドット薄膜の光励起キャリアダイナミクス

〇(M2)小栗直己¹、丁超¹、早瀬修二¹、曽我部東馬¹、豊田太郎¹、沈青¹ (1.電通大基盤理工)

13:45 〜 14:00

[10p-N303-2] Zn(Te_1-xSe_x)/ZnSe量子ドットの合成と光学特性

〇佃諭志¹、喜多正雄²、小俣孝久¹ (1.東北大多元研、2.富山高専)

14:00 〜 14:15

[10p-N303-3] CuGaS₂/ZnS量子ドット-EVA膜の単結晶シリコン太陽電池への応用

〇長谷駿之介¹、磯由樹¹、磯部徹彦¹ (1.慶大理工)

14:15 〜 14:30

[10p-N303-4] p-フェニレンジアミン誘導カーボンドットを含有したフッ素樹脂膜の作製と特性評価

〇(M1)鷲尾亘陽¹、佐藤康平¹、磯由樹¹、磯部徹彦¹ (1.慶大理工)

14:30 〜 14:45

[10p-N303-5] フロログルシノールおよび4,6-ジアミノレソルシノール二塩酸塩から合成したカーボンドットの蛍光特性の比較

〇片上凜香¹、佐藤康平¹、磯由樹¹、磯部徹彦¹、小椋章弘¹、高尾賢一¹ (1.慶大理工)

14:45 〜 15:00

[10p-N303-6] ガスバリア性ポリマーによるCsPbBr₃ペロブスカイトナノ結晶の自己回復機能の発現

〇榎本郁弥¹、磯由樹¹、磯部徹彦¹ (1.慶大理工)

15:00 〜 15:15

[10p-N303-7] 0次元ペロブスカイト半導体Cs₄PbX₆の安定性と光学的性質：第一原理計算による検討

〇冨田愛美¹、中山隆史¹ (1.千葉大理)

15:15 〜 15:30

△ [10p-N303-8] エピタキシャル成長を利用した固体レーザー冷却用高品質Yb:Y-Al-O厚膜の作製

〇中山雄太¹、薩井篤¹、松尾祐治¹、原田幸弘¹、喜多隆¹ (1.神戸大院工)

15:30 〜 15:45

△ [10p-N303-9] Eu添加GaN系高Q値マイクロディスクの作製とEu発光特性評価

〇谷口輝樹¹、舘林潤^1,2、 Dolf Timmerman¹、市川修平^1,3、芦田昌明⁴、藤原康文¹ (1.阪大院工、2.阪大量子情報・量子生命研究センター、3.阪大電顕センター、4.阪大基礎工)

15:45 〜 16:00

△ [10p-N303-10] 【注目講演】Tb添加Al_xGa_1-xNの有機金属気相エピタキシャル成長と発光特性

〇駒井亮太¹、市川修平^1,2、半澤弘昌³、舘林潤¹、藤原康文¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.阪大院基礎工)

16:15 〜 16:30

△ [10p-N303-11] 選択および非選択光励起によるELO基板上AlGaN量子井戸の深紫外発光特性評価

〇(M1)田中志樹¹、石井良太¹、 Susilo Norman²、 Wernicke Tim²、 Kneissl Michael²、船戸充¹、川上養一¹ (1.京都大学、2.ベルリン工科大)

16:30 〜 16:45

△ [10p-N303-12] 量子ドットスピン偏極発光ダイオードの円偏光発光特性の温度依存性

〇江藤亘平¹、樋浦諭志¹、パクソヨン¹、高山純一¹、スバギョアグス¹、末岡和久¹、村山明宏¹ (1.北大院情報科学)

16:45 〜 17:00

[10p-N303-13] MOVPE法で作製したInAs/GaSb超格子の
中赤外発光ピークに関する温度と励起強度の依存性

〇岩切優人¹、大濱寛士¹、荒井昌和¹、藤澤剛²、前田幸治¹ (1.宮崎大学、2.北海道大)

17:00 〜 17:15

▼ [10p-N303-14] Long wavelength PL of InAs surface quantum dots enhanced by underlying reservoir

〇(DC)Hanif Mohammadi¹、 Ronel Roca¹、 Itaru Kamiya¹ (1.Toyota tech. inst.)

17:15 〜 17:30

△ [10p-N303-15] フェムト秒ポンプ・プローブ分光測定を用いたCsPbBr₃ナノ結晶/ジアリールエテンハイブリッドの消光メカニズムの解明

〇明石優志¹、モクタールアシカン¹、野原大暉¹、小澄大輔¹、深港豪¹、木田徹也¹ (1.熊本大学)

17:30 〜 17:45

△ [10p-N303-16] 半導体発光冷却の実現に向けたCsPbBr₃/Cs₄PbBr₆バルク結晶からのアンチストークス発光評価

〇梶野祐人¹、大竹柊司¹、山田琢己²、音賢一¹、金光義彦²、山田泰裕¹ (1.千葉大院理、2.京大化研)

17:45 〜 18:00

[10p-N303-17] ガス輸送気相成長法によるSnO₂ナノワイヤーの作製と評価

〇潮見侑汰¹、尾崎俊二¹ (1.群大理工)

18:00 〜 18:15

[10p-N303-18] Mg₂Si結晶のキャリア濃度と赤外吸収の関係

〇土田裕大¹、水沼直樹¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院理工)

18:15 〜 18:30

▲ [10p-N303-19] Photoconduction, Luminescence and Optical Absorption of Porous Nano-Silicon during Chemical Oxidation in aqueous solutions

〇Bernard Gelloz¹、 Souki Sakata²、 Lianhua Jin² (1.Nagoya Univ.、2.Yamanashi Univ.)

一般セッション(ポスター講演)

[23a-P11-1~18] 13.8 光物性・発光デバイス

2021年9月23日(木) 11:00 〜 12:40 P11 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

11:00 〜 12:40

[23a-P11-1] 【注目講演】クロムイオン添加CaO-GeO₂系ガラス蛍光体に対する熱処理の影響

〇七井靖¹、近藤聖弥¹、北沢信章¹ (1.防衛大)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-2] 深赤色発光Mg₂TiO₄:Mnの液相合成における加圧による影響

〇(M2)遠藤雅幸¹、上杉直暉¹、小南裕子¹、原和彦¹ (1.静岡大工)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-3] 深紫外発光ZnAl₂O₄薄膜形成条件の最適化

〇園田直樹¹、井上晃佑¹、小南裕子¹、原和彦¹ (1.静岡大工)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-4] 線量モニタ開発用の赤色発光Cs₂Hf(I,Br)₆シンチレータの発光特性研究

〇(M1)藤原千隼¹、小玉翔平²、石川志緒利^3,4、黒澤俊介^1,3、山路晃広^1,3、大橋雄二³、横田有為¹、鎌田圭^3,4、佐藤浩樹³、豊田智史³、吉野将生¹、花田貴¹、吉川彰^1,3,4 (1.東北大学　金研、2.埼玉大学　理工、3.東北大学　NICHe、4.（株）C&A)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-5] 陽極と陰極をともにIn₂O₃:Sn薄膜としたCa_0.6Sr_0.4Ti_0.9Al_0.1O_3-_d:Pr薄膜の電気・発光特性

〇京免徹¹、横塚恵莉¹、高島浩² (1.群馬大理工、2.産総研)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-6] 気相環境下によるZnS:Mn薄膜の光学特性及び無機ELへの応用検討

〇(M1)北脇大靖¹、和迩浩一¹、今井崇人¹、番貴彦²、山本伸一¹ (1.龍谷大理工、2.滋賀県立大学)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-7] 両面発光分散型無機ELデバイスの特性評価

〇(B)都倉周平¹、佐藤大樹¹、北脇大靖¹、和迩浩一¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-8] フェライトコアコイルを用いた無機ELの特性評価

〇佐藤大樹¹、北脇大靖¹、和迩浩一¹、山本伸一¹ (1.龍谷理工)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-9] 4CzIPNを添加した場合と添加しない場合の有機EL素子の電導特性の変化の検討

〇佐藤涼¹、市野祐亮¹、清家善之¹、森竜雄¹ (1.愛知工大)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-10] CdSe/ZnSコアシェル型コロイド状量子ドットを用いた塗布法による面発光レーザの作製

〇(M2)二星亘輝¹、大谷直毅¹ (1.同志社大理工)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-11] ミストデポジション法を用いたCs₃Cu₂I₅の薄膜形成

〇西岡悠哉¹ (1.京都工芸繊維大学)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-12] InAs量子ドットを利用した近赤外多波長面発光レーザの検討

〇大島仁¹、尾崎信彦¹、小田久哉²、渡辺英一郎³、大里啓孝³、池田直樹³、杉本喜正³、 R. Hogg⁴ (1.和歌山大シス工、2.千歳科技大、3.物材機構、4.グラスゴー大)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-13] AgGa_xIn_1-xS₂半導体結晶の育成と光学的評価

〇佐野元昭¹、尾崎俊二¹ (1.群馬大理工)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-14] Cu_xAg_1-xInSe₂半導体の結晶成長とバンドギャップエネルギーの評価

〇牛越勇渡¹、尾崎俊二¹ (1.群馬大理工)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-15] ミストデポジション法による混晶系発光材料Cs₃Cu₂(I_1-xBr_x)₅ (0≦x≦1)の薄膜成長と光学的特性

〇渡邉啓佑¹、西岡悠哉¹、西中浩之¹、吉本昌広¹ (1.京工繊大)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-16] Si/CaF₂ヘテロ構造を用いた分布帰還型導波路の設計とグレーティング構造形成プロセス

〇北村研太¹、鄭源宰¹、劉龍¹、小柳陽平¹、菅原大暉¹、渡辺正裕¹ (1.東工大工)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-17] ワイドバンドギャップ半導体評価用連続温度可変フォトルミネッセンス装置

〇沖野隼之介¹、内田智之¹、杉江隆一¹ (1.東レリサーチセンター)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-18] 単一障壁p型トンネルダイオードを用いたSi/CaF₂界面における価電子帯障壁高さ(ΔE_v)の評価

〇菅原大暉¹、劉龍¹、鄭源宰¹、小柳陽平¹、北村研太¹、渡辺正裕¹ (1.東工大工)

セッション一覧

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[10a-N303-1~11] 13.8 光物性・発光デバイス

▲ [10a-N303-3] Insights into the saturation mechanism of LED phosphors

[10p-N303-1~19] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [10p-N303-8] エピタキシャル成長を利用した固体レーザー冷却用高品質Yb:Y-Al-O厚膜の作製

△ [10p-N303-9] Eu添加GaN系高Q値マイクロディスクの作製とEu発光特性評価

△ [10p-N303-10] 【注目講演】Tb添加AlxGa1-xNの有機金属気相エピタキシャル成長と発光特性

△ [10p-N303-11] 選択および非選択光励起によるELO基板上AlGaN量子井戸の深紫外発光特性評価

△ [10p-N303-12] 量子ドットスピン偏極発光ダイオードの円偏光発光特性の温度依存性

▼ [10p-N303-14] Long wavelength PL of InAs surface quantum dots enhanced by underlying reservoir

△ [10p-N303-15] フェムト秒ポンプ・プローブ分光測定を用いたCsPbBr3ナノ結晶/ジアリールエテンハイブリッドの消光メカニズムの解明

△ [10p-N303-16] 半導体発光冷却の実現に向けたCsPbBr3/Cs4PbBr6バルク結晶からのアンチストークス発光評価

▲ [10p-N303-19] Photoconduction, Luminescence and Optical Absorption of Porous Nano-Silicon during Chemical Oxidation in aqueous solutions

[23a-P11-1~18] 13.8 光物性・発光デバイス

認証

△ [10p-N303-10] 【注目講演】Tb添加Al_xGa_1-xNの有機金属気相エピタキシャル成長と発光特性

△ [10p-N303-15] フェムト秒ポンプ・プローブ分光測定を用いたCsPbBr₃ナノ結晶/ジアリールエテンハイブリッドの消光メカニズムの解明

△ [10p-N303-16] 半導体発光冷却の実現に向けたCsPbBr₃/Cs₄PbBr₆バルク結晶からのアンチストークス発光評価