一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 [12p-N323-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 2021年9月12日(日) 13:00 〜 16:15 N323 (口頭) 羽深 等(横国大)、後藤 哲也(東北大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.5 デバイス/配線/集積化技術 [12a-N304-1~11] 13.5 デバイス/配線/集積化技術 2021年9月12日(日) 09:00 〜 12:00 N304 (口頭) 松川 貴(産総研)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.5 デバイス/配線/集積化技術 [12p-N304-1~14] 13.5 デバイス/配線/集積化技術 2021年9月12日(日) 13:30 〜 17:15 N304 (口頭) 東 悠介(キオクシア)、小池 淳一(東北大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス [12p-N303-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス 2021年9月12日(日) 13:30 〜 16:30 N303 (口頭) 中岡 俊裕(上智大)、太田 竜一(NTT)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 [12a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 2021年9月12日(日) 09:00 〜 11:45 N305 (口頭) 牧野 高紘(量研機構)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 [12p-N305-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 2021年9月12日(日) 13:30 〜 17:15 N305 (口頭) 塩島 謙次(福井大)、牧山 剛三(住友電工)
一般セッション(口頭講演) | 15 結晶工学 | 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎 [12a-N406-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎 2021年9月12日(日) 09:00 〜 12:00 N406 (口頭) 鈴木 秀俊(宮崎大)、原田 幸弘(神戸大)
一般セッション(口頭講演) | 15 結晶工学 | 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎 [12p-N406-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎 2021年9月12日(日) 13:00 〜 16:15 N406 (口頭) 佐々木 拓生(量研機構)、朝日 重雄(神戸大)
一般セッション(口頭講演) | 15 結晶工学 | 15.4 III-V族窒化物結晶 [12a-N101-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶 2021年9月12日(日) 09:00 〜 11:45 N101 (口頭) 舘林 潤(阪大)、大音 隆男(山形大)
一般セッション(口頭講演) | 15 結晶工学 | 15.4 III-V族窒化物結晶 [12p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶 2021年9月12日(日) 13:00 〜 18:30 N101 (口頭) 小島 一信(東北大)、新田 州吾(名大)、久志本 真希(名大)