[10a-N101-1~7] 15.4 III-V-group nitride crystals

[10a-N101-5] Crack Formation Criteria for High-Temperature-Annealed Sputtered AlN

〇Yusuke Hayashi¹, Kenjiro Uesugi^2,3, Kanako Shojiki⁴, Hideto Miyake^3,4, Tetsuya Tohei¹, Akira Sakai¹ (1.Grad. Sch. Eng. Sci., Osaka Univ., 2.SPORR, Mie Univ., 3.Grad. Sch. RIS, Mie Univ., 4.Grad. Sch. Eng., Mie Univ.)

Keywords:AlN

低転位密度AlN下地基板の作製方法としてスパッタ成膜したAlNに高温熱処理（アニール）を施すことで高品質化する技術が注目を集めている。歪エンジニアリングとダブルスパッタ法によりクラックフリー膜厚1.2 μmにおいて貫通転位密度4.3×10⁷ cm^-2が達成されている。1700 °Cのアニールで生じる基板の反りや残留応力、クラックの発生といった課題を解決するため、膜中の歪エネルギーを数値計算し、c面およびa面サファイア上に成膜したAlNにおいてクラックが発生する条件を解析したので報告する。