[10a-N101-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10a-N101-5] 高温熱処理したスパッタAlN膜のクラック発生条件

〇林 侑介¹、上杉 謙次郎^2,3、正直 花奈子⁴、三宅 秀人^3,4、藤平 哲也¹、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.三重大地域創生戦略企画室、3.三重大院地域イノベ、4.三重大院工)

キーワード：AlN

低転位密度AlN下地基板の作製方法としてスパッタ成膜したAlNに高温熱処理（アニール）を施すことで高品質化する技術が注目を集めている。歪エンジニアリングとダブルスパッタ法によりクラックフリー膜厚1.2 μmにおいて貫通転位密度4.3×10⁷ cm^-2が達成されている。1700 °Cのアニールで生じる基板の反りや残留応力、クラックの発生といった課題を解決するため、膜中の歪エネルギーを数値計算し、c面およびa面サファイア上に成膜したAlNにおいてクラックが発生する条件を解析したので報告する。