[10a-N104-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[10a-N104-1] Influences of the Chemical Composition of SiN_x Layers and the Thickness of SiO₂ Layers on Polarization-Type PID in n-PERT Solar Cells

〇Seira Yamaguchi¹, Kyotaro Nakamura², Taeko Semba¹, Keisuke Ohdaira³, Yoshio Ohshita², Atsushi Masuda¹ (1.Niigata Univ., 2.TTI, 3.JAIST)

Keywords:silicon photovoltaics, potential-induced degradation, reliability

n-PERTセルの分極型PIDにおいて，SiN_x膜の組成とSiO₂膜の膜厚が劣化挙動に与える影響を調査した．本研究で用いた条件の範囲内では劣化挙動に顕著な差は見られなかった．しかしながら，SiO₂膜が薄くかつSiリッチなSiN_x膜を用いたセルでは，その後の光照射による急速な劣化の回復が観察された．