[10a-N104-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[10a-N104-1] n-PERTセルのSiN_x膜の組成およびSiO₂膜の膜厚が分極型PID挙動に与える影響

〇山口 世力¹、中村 京太郎²、仙波 妙子¹、大平 圭介³、大下 祥雄²、増田 淳¹ (1.新潟大、2.豊田工大、3.北陸先端大)

キーワード：結晶シリコン太陽電池、電圧誘起劣化、信頼性

n-PERTセルの分極型PIDにおいて，SiN_x膜の組成とSiO₂膜の膜厚が劣化挙動に与える影響を調査した．本研究で用いた条件の範囲内では劣化挙動に顕著な差は見られなかった．しかしながら，SiO₂膜が薄くかつSiリッチなSiN_x膜を用いたセルでは，その後の光照射による急速な劣化の回復が観察された．