[10a-N202-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [10a-N202-3] 石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における光吸収層の検討

〇田淵 直人¹、國吉 望月²、細井 卓治¹、小林 拓真¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.アルバック協働研)

キーワード：GeSn、レーザーアニール、石英基板

我々は、横方向液相成長法により石英基板上に引張歪みを有する良質な無転位単結晶GeSn細線が形成できることを示してきた。さらに、大面積基板への適用を念頭にレーザー溶融結晶化技術へ展開している。しかし、GeSn細線のパターン毎に、レーザーの吸収率が異なるため、照射条件の最適化が必要であった。そこで本研究では、SiO₂キャップ層上に光吸収層としてSi層を形成し、GeSn細線のパターンに依存しないレーザー溶融結晶化の実現を試みた。