[10a-N202-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[10a-N202-4] 非晶質Ge/SiO₂のMg誘起横方向成長

〇平井 杜和¹、阿部 陸斗¹、本田 彬¹、森本 敦己¹、高倉 健一郎¹、角田 功¹ (1.熊本高専)

キーワード：半導体、結晶性

我々は，Mgを用いた非晶質Ge薄膜の横方向固相成長過程を評価した．この結果， Mgでも非晶質Ge薄膜の横方向成長が誘起されることが判明した．次に，横方向成長領域の評価を行った結果，MgはAuやSnに比べ，横方向成長が誘起される温度が高く，成長速度も遅いことが分かった．そこで，二段階の熱処理を試みたところ，成長速度が促進することがわかった．