10:15 〜 10:30
[10a-N202-4] 非晶質Ge/SiO2のMg誘起横方向成長
キーワード:半導体、結晶性
我々は,Mgを用いた非晶質Ge薄膜の横方向固相成長過程を評価した.この結果, Mgでも非晶質Ge薄膜の横方向成長が誘起されることが判明した.次に,横方向成長領域の評価を行った結果,MgはAuやSnに比べ,横方向成長が誘起される温度が高く,成長速度も遅いことが分かった.そこで,二段階の熱処理を試みたところ,成長速度が促進することがわかった.
一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶
2021年9月10日(金) 09:30 〜 12:00 N202 (口頭)
澤野 憲太郎(都市大)
10:15 〜 10:30
キーワード:半導体、結晶性