2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

[10a-N202-1~10] 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

2021年9月10日(金) 09:30 〜 12:00 N202 (口頭)

澤野 憲太郎(都市大)

10:15 〜 10:30

[10a-N202-4] 非晶質Ge/SiO2のMg誘起横方向成長

平井 杜和1、阿部 陸斗1、本田 彬1、森本 敦己1、高倉 健一郎1、角田 功1 (1.熊本高専)

キーワード:半導体、結晶性

我々は,Mgを用いた非晶質Ge薄膜の横方向固相成長過程を評価した.この結果, Mgでも非晶質Ge薄膜の横方向成長が誘起されることが判明した.次に,横方向成長領域の評価を行った結果,MgはAuやSnに比べ,横方向成長が誘起される温度が高く,成長速度も遅いことが分かった.そこで,二段階の熱処理を試みたところ,成長速度が促進することがわかった.