[10a-N203-1~10] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [10a-N203-3] Large-scale atomic level calculation of vacancy clusters in Si crystal using ANN potential (3)

〇(M2)Takuto Ushiro¹, Tatsuya Yokoi², Yusuke Noda³, Eiji Kamiyama³, Masato Ohbitsu¹, Hiroki Nagakura¹, Koji Sueoka³ (1.Graduate School of Engineering, Okayama Pref. Univ., 2.Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., 3.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:silicon, vacancy, deep learning

シリコン結晶内の微小な欠陥は，実験で検出することが難しいため，計算機による解析が有効である．機械学習を用いて開発した原子間ポテンシャルでは，精度良く，かつ低い計算コストで解析を行うことができる．今回は，学習データを見直すことでV 35個までのDFTとの差異を低下させ，さらに最大969個のVクラスターに関する大規模計算を行った．