[10a-N203-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[10a-N203-5] マルチデータによる結晶成長熱流体シミュレーションのパラメータ同定

〇田中 博之¹、沓掛 健太朗²、小島 拓人³、劉 鑫¹、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工、2.理研AIP、3.名大院情報)

キーワード：シミュレーション、結晶成長、シリコン