[10a-N204-1~12] CS.10 6.5 表面物理・真空と7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[10a-N204-9] SiO₂/Si(001)界面のバンドベンディングへの酸素と放射光のON-OFF効果

〇(P)津田 泰孝¹、小川 修一²、吉越 章隆¹、坂本 徹哉¹、高桑 雄二³ (1.原子力機構、2.東北大SRIS、3.東北大μSIC)

キーワード：半導体、酸化、シリコン