[10a-N206-1~10] 2.2 Radiation physics fundamentals & applications, radiation generators, new technology

[10a-N206-3] Degradation of SiC MOSFET Induced by Total Ionizing Dose Effect Using Alpha Source

〇Jun Furuta¹, Kazutoshi Kobayashi¹ (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:SiC Power MOSFET, radiation effect, alpha particles

本稿ではアルファ線源を用いてSiC MOSFETのトータルドーズ効果による特性劣化の測定結果を報告する。Si MOSFETと比較してSiC MOSFETはトータルドーズ効果による劣化を受けにくく、特に相互コンダクタンスに影響を与えるInterface trapの形成が起こりにくいことを確認した。一方でオン抵抗の上昇が確認でき、アルファ線によるドリフト層における欠陥の生成が特性の劣化を引き起こしていると推測される