[10a-N206-1~10] 2.2 放射線物理一般・放射線応用・発生装置・新技術

[10a-N206-3] アルファ線を利用したトータルドーズ効果によるSiC MOSFETの劣化測定

〇古田 潤¹、小林 和淑¹ (1.京都工繊大)

キーワード：SiC Power MOSFET、放射線効果、アルファ線

本稿ではアルファ線源を用いてSiC MOSFETのトータルドーズ効果による特性劣化の測定結果を報告する。Si MOSFETと比較してSiC MOSFETはトータルドーズ効果による劣化を受けにくく、特に相互コンダクタンスに影響を与えるInterface trapの形成が起こりにくいことを確認した。一方でオン抵抗の上昇が確認でき、アルファ線によるドリフト層における欠陥の生成が特性の劣化を引き起こしていると推測される