[10a-N302-1~6] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [10a-N302-4] 3D容量検出電極による単一Au錘3軸MEMS加速度センサの検討

〇大西 哲¹、内山 晃宏¹、柴田 滉平¹、市川 崇志¹、李 尚曄¹、飯田 慎一²、石原 昇¹、町田 克之¹、益 一哉¹、伊藤 浩之¹ (1.東工大、2.NTT-AT)

キーワード：MEMS、加速度センサ、Au単一錘

本論文では新規の3D容量検出電極を提案し、micro-Gレベルの感度を有する単一Au錘3軸静電容量型MEMS加速度センサについて記述する。ブラウニアンノイズと感度に関する解析のもと設計を行い、ポストCMOS技術のための積層メタル技術によってデバイスを試作した。実験結果から得られたブラウニアンノイズは160 nG/√Hz、X、Y、Z軸の感度はそれぞれ162、210、341 fF/Gであった。