[10p-N102-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [10p-N102-4] Effects of high N₂ sputtering gas ratio on the growth of non-polar AlN on Si

〇Masaya Morita^1,2, Keiji Ishibashi³, Kenichiro Takahashi³, Shigenori Ueda², Toyohiro chikyow², Atsushi Ogura^1,4, Takahiro Nagata² (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.COMET Inc., 4.MREL)

Keywords:AlN, sputtering, GaN

スパッタリング法によるMnSバッファー層を用いたSi上への無極性面AlN及び無極性面GaNの実現に向けて、無極性AlNの検討を行っている。既に、低温AlN層をMnSの上に成長させることでMnS層表面窒化を防ぎ、Si上に無極性面AlNの結晶化を実現できた。本研究ではさらなるAlNの結晶性向上を目的とし、N₂スパッタガス流量検討を行った結果を報告する。