[10p-N102-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [10p-N102-4] Si上無極性AlN成長への高N₂スパッタガス流量の効果

〇森田 雅也^1,2、石橋 啓次³、高橋 健一郎³、上田 茂典²、知京 豊裕²、小椋 厚志^1,4、長田 貴弘² (1.明治大学、2.物材機構、3.株式会社コメット、4.明大MREL)

キーワード：窒化アルミニウム、スパッタリング、窒化ガリウム

スパッタリング法によるMnSバッファー層を用いたSi上への無極性面AlN及び無極性面GaNの実現に向けて、無極性AlNの検討を行っている。既に、低温AlN層をMnSの上に成長させることでMnS層表面窒化を防ぎ、Si上に無極性面AlNの結晶化を実現できた。本研究ではさらなるAlNの結晶性向上を目的とし、N₂スパッタガス流量検討を行った結果を報告する。