[10p-N102-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[10p-N102-8] Stress control of GaN layer by sputtering with low oxygen GaN target

〇Yuya Suemoto¹, Yoshihiro Ueoka¹, Masami Mesuda¹ (1.Tosoh Corporation)

Keywords:gallium nitride, GaN, sputtering

スパッタ法を用いたGaNの成膜は、従来のMOCVD法のような有機金属や大量のアンモニアが不要なため、より低コストかつ低毒性なプロセスとして期待されている。本発表では、Si基板上にスパッタ法によるGaN薄膜の成膜および膜応力について報告する。