2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[10p-N103-1~16] 3.13 半導体光デバイス

2021年9月10日(金) 13:45 〜 18:00 N103 (口頭)

荒井 昌和(宮崎大)、橋本 玲(東芝)

17:30 〜 17:45

[10p-N103-15] 光無線給電用Ⅲ-Ⅴ族太陽電池の変換効率へのレーザ照射強度均一性への影響

駒澤 雄飛1、黒岡 和起1、割々谷 凌太1、内田 史朗1 (1.千葉工大)

キーワード:光無線給電、化合物太陽電池

我々は光無線給電の高出力電送を目的としてⅢ-Ⅴ族太陽電池の変換効率に対する照射レーザ光の強度均一性の影響について調査を行った。本研究では、表面電極被覆率(通称 Shadowing Loss=SL)の異なる太陽電池を使用し、その変換効率に対するレーザ照射強度分布の影響を調べた。その結果、SLが小さいサンプルにおいて、不均一照射を均一照射に変える事で高強度照射時の変換効率を改善されることを見い出した。これにより、電極面積の最適設計がレーザ強度均一性によって変化する事が明らかとなった。