[10p-N103-1~16] 3.13 半導体光デバイス

[10p-N103-5] 組成混晶リッジ型量子ドットレーザの温度特性

〇松本 敦¹、赤羽 浩一¹、金子 瑠那²、勝原 龍海²、矢吹 諒太²、松島 裕一²、宇高 勝之² (1.情通機構、2.早大理工)

キーワード：量子ドット、半導体レーザ、組成混晶

我々はイオン注入を用いた量子ドット(QD)組成混晶化技術により、再成長不要なQD光集積回路を研究してきた。これまで、共振器幅50umのブロードエリア構造のLDを作製して評価してきたが、本稿では、B及びArによる組成混晶化を実施したリッジ型LDを作製し、非常に良好な温度特性を得たものの、従来とは少し異なる傾向が得られたので、これを報告する。