[10p-N103-1~16] 3.13 Semiconductor optical devices

[10p-N103-6] Improvements on lasing characteristics of buried heterostructure GaInAsP SCH-MQW laser diode on wafer bonded InP/Si substrate

〇(M2)Kota Shibukawa¹, Xu Han¹, Koki Tsushima¹, Takahiro Ishizaki¹, Takuto Shirai¹, Motonari Sato¹, Shingo Ito¹, Koji Agata¹, Momoko Kotani¹, Sae Aoki¹, Ryosuke Yada¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:Silicon photonics, Optical Interconnection, Optical Communication

大規模集積回路の高速大容量通信の低消費電力化に向け，Si基板上へのInP系光デバイスの集積が盛んに研究されている．これに対し当研究室では，薄膜InPをシリコンに直接貼り付けをしたInP/Si上に，MOVPE法を用いて光デバイスの作製及び集積する手法を提案してきた. GaInAsP SCH-MQWレーザを作製し，メサ構造の作製を行うことでしきい値電流値の低減を実現させた. 今回，散乱損失の低下と熱の拡散を狙い，メサ構造作製後に，2回目の成長として活性層付近にi-InPを積層し，埋込レーザ構造を作製した．