[10p-N103-1~16] 3.13 Semiconductor optical devices

[10p-N103-5] Temperature Characteristics of Intermixed Ridge Quantum Dot laser

〇Atsushi Matsumoto¹, Kouichi Akahane¹, Runa Kaneko², Ryumi Katsuhara², Ryouta Yabuki², Yuichi Matsushima², Katsuyuki Utaka² (1.NICT, 2.Waseda Univ.)

Keywords:Quantum dot, LD, Intermixing

我々はイオン注入を用いた量子ドット(QD)組成混晶化技術により、再成長不要なQD光集積回路を研究してきた。これまで、共振器幅50umのブロードエリア構造のLDを作製して評価してきたが、本稿では、B及びArによる組成混晶化を実施したリッジ型LDを作製し、非常に良好な温度特性を得たものの、従来とは少し異なる傾向が得られたので、これを報告する。