[10p-N103-1~16] 3.13 半導体光デバイス

[10p-N103-6] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP SCH-MQW埋込レーザの発振特性改善

〇(M2)澁川 航大¹、韓 旭¹、対馬 幸樹¹、石崎 隆浩¹、白井 琢人¹、佐藤 元就¹、伊藤 慎吾¹、阿形 幸二¹、小谷 桃子¹、青木 彩絵¹、矢田 涼介¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：シリコンフォトニクス、光インターコネクション、光通信

大規模集積回路の高速大容量通信の低消費電力化に向け，Si基板上へのInP系光デバイスの集積が盛んに研究されている．これに対し当研究室では，薄膜InPをシリコンに直接貼り付けをしたInP/Si上に，MOVPE法を用いて光デバイスの作製及び集積する手法を提案してきた. GaInAsP SCH-MQWレーザを作製し，メサ構造の作製を行うことでしきい値電流値の低減を実現させた. 今回，散乱損失の低下と熱の拡散を狙い，メサ構造作製後に，2回目の成長として活性層付近にi-InPを積層し，埋込レーザ構造を作製した．