[10p-N103-1~16] 3.13 Semiconductor optical devices

[10p-N103-7] Temperature And Excitation Intensity Dependence Of Infrared Photoluminescence Peaks In InAs/GaSb Superlattice Grown By MOVPE Method

〇Yuto Iwakiri¹ (1.Miyazaki Univ.)

Keywords:photoluminescence

MOVPE法で作製したInAs/GaSb超格子の中赤外発光ピークを温度と励起強度の依存性を解析した。室温で発光するためには最低準位間のエネルギーの遷移ではなく、より高次な準位での遷移が重要であるとわかった。