[10p-N103-1~16] 3.13 半導体光デバイス

[10p-N103-7] MOVPE法で作製したInAs/GaSb超格子の
中赤外発光ピークに関する温度と励起強度の依存性

〇岩切 優人¹ (1.宮崎大学)

キーワード：超格子

MOVPE法で作製したInAs/GaSb超格子の中赤外発光ピークを温度と励起強度の依存性を解析した。室温で発光するためには最低準位間のエネルギーの遷移ではなく、より高次な準位での遷移が重要であるとわかった。