[10p-N104-1~18] 16.3 シリコン系太陽電池

[10p-N104-12] 触媒化学気相堆積法と硝酸酸化法によって形成したSiN_x/SiO_x積層膜でのSi表面のパッシベーション

〇(D)中島 寛記¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：表面パッシベーション、極薄酸化膜

Si基板表面に形成した硝酸酸化(NAOS)膜上に、触媒化学気相堆積法によってSiN_x膜を堆積し、窒素雰囲気での加熱処理前後でのQSSPC測定を行った。SiN_x堆積前にNAOSを施すことにより、少数キャリア寿命が大幅に向上した。特に25 °CでのNAOS、350 °Cでの加熱処理条件にて、730 mVのImplied V_ocが得られた。また、低温でNAOSを行ったものほど少数キャリア寿命が長く、SiN_x/SiO_x積層膜のパッシベーション性能は、極薄酸化膜の膜質や膜厚の違いに影響していることが示唆された。