[10p-N202-1~19] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [10p-N202-7] Determination of Strain-free Raman Shift from Relaxed GeSn Layer

〇(M2)Gai Ogasawara¹, Ryo Yokogawa^1,2, Kazutoshi Yoshioka¹, Yosuke Shimura^3,4, Roger Loo⁵, Anurag Vohra^5,6, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.Shizuoka Univ., 4.RIE Shizuoka Univ., 5.imec, 6.K. U. Leuven)

Keywords:GeSn, Strain relaxation, Raman spectroscopy

GeSnはⅣ族半導体の中でもキャリア移動度が高く、合金効果により熱伝導率が低下することから熱電発電材料に適している。熱電発電デバイスを設計するためには電気伝導率や熱伝導率に対して歪が及ぼす影響を理解することが重要となる。ラマン分光法を用いて歪量を評価するためには、無歪ラマンシフトを正確に把握することが必要である。本研究では無歪GeSn層を用いる事で無歪ラマンシフトを導出することを目的とする。