[10p-N203-1~9] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[10p-N203-1] One-dimensional array of interstitial oxygen atoms onto SiO₂/Si interface

〇Eiji Kamiyama^1,2, Koji Sueoka² (1.GlobalWafers Japan Co., Ltd., 2.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:Interstitial oxygen, Silicon/Oxide interface, Hakoniwa method

Si結晶中における酸素の凝集体では，(1) 酸素が3次元的に配列した酸素析出物（SiO₂）と，(2) 一次元的に整列するサーマルドナー（TD）とが知られる．ここで，この(2)が(1)の近傍に存在するとすれば，より安定なものにならないだろうか．本報告では，格子間酸素の一次元鎖を一例として，長鎖構造のTDを想定した無限長さの一次元鎖の，SiO₂/Si界面近傍における安定性について第一原理計算で検討した結果について報告する．