[10p-N203-1~9] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[10p-N203-5] Characteristics of Multi-element Molecular Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers for 3D-Stacked CMOS Image Sensors (Ⅱ)
- Dark Current Reduction Mechanism of CH₂P Molecular Ion Implanted Epitaxial Wafers -

〇TAKESHI KADONO^1,2, Ryo Hirose¹, Ayumi Masada¹, Akihiro Suzuki¹, Koji Kobayashi¹, Ryosuke Okuyama¹, Yoshihiro Koga¹, Atsuhiko Fukuyama², Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO CORPORATION, 2.Univ. of Miyazaki)

Keywords:Molecular ion implantaion, Silicon wafer

CMOSイメージセンサの性能向上のため、我々はこれまでに炭素、および水素から構成された分子イオン(C₃H₅)注入技術を用いてゲッタリング領域を形成したエピタキシャルSiウェーハを開発してきた。さらなるゲッタリング能力の向上を目的に燐を含む多元素イオン(CH₂P)注入技術の開発を進めている。本報告ではCH₂P分子イオン注入領域のゲッタリング特性をデバイス評価結果をもとに報告する。