[10p-N203-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[10p-N203-5] 3次元積層型CIS向け多元素分子イオン注入エピウェーハの特性(Ⅱ)
- CH₂Pイオン注入による白キズ欠陥抑制のメカニズム解析 -

〇門野 武^1,2、廣瀬 諒¹、柾田 亜由美¹、鈴木 陽洋¹、小林 弘治¹、奥山 亮輔¹、古賀 祥泰¹、福山 敦彦²、栗田 一成¹ (1.株式会社SUMCO、2.宮崎大)

キーワード：分子イオン注入、シリコンウェーハ

CMOSイメージセンサの性能向上のため、我々はこれまでに炭素、および水素から構成された分子イオン(C₃H₅)注入技術を用いてゲッタリング領域を形成したエピタキシャルSiウェーハを開発してきた。さらなるゲッタリング能力の向上を目的に燐を含む多元素イオン(CH₂P)注入技術の開発を進めている。本報告ではCH₂P分子イオン注入領域のゲッタリング特性をデバイス評価結果をもとに報告する。