[10p-N203-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [10p-N203-6] 多元素分子イオン注入誘起欠陥の熱的挙動の加熱TEMその場観察
–CH₃Oイオン注入誘起EOR欠陥の熱的分解挙動の反応速度論的解析–

〇鈴木 陽洋¹、廣瀬 諒¹、門野 武¹、小林 弘治¹、柾田 亜由美¹、奥山 亮輔¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：分子イオン、イオン注入欠陥、加熱TEMその場観察

CMOSイメージセンサの性能向上のため、我々は、水素及び炭素、酸素から成るCH₃O分子イオンを注入したエピタキシャルSiウェーハを開発している。CH₃Oイオン注入Siウェーハは、2種類のイオン注入誘起欠陥（炭素-Si析出物、End-of-Range欠陥）を有し、それらが高い重金属ゲッタリング能力をもつ。今回は、CH₃Oイオン注入SiウェーハにおけるEnd-of-Range欠陥の熱的分解挙動を加熱TEMその場観察法によって明らかにした結果について報告する。