[10p-N203-1~9] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [10p-N203-6] In Situ TEM Observation of Thermal Behavior of Multielement-Molecular-Ion-Implantation-Induced Defects
– Reaction Kinetic Analysis of Thermal Dissolution Behavior of CH₃O Molecular-Ion-Implantation-Induced Defects –

〇Akihiro Suzuki¹, Ryo Hirose¹, Takeshi Kadono¹, Koji Kobayashi¹, Ayumi Masada¹, Ryosuke Okuyama¹, Yoshihiro Koga¹, Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO)

Keywords:Molecular ion, Ion-implantation-induced defect, In situ TEM observation

CMOSイメージセンサの性能向上のため、我々は、水素及び炭素、酸素から成るCH₃O分子イオンを注入したエピタキシャルSiウェーハを開発している。CH₃Oイオン注入Siウェーハは、2種類のイオン注入誘起欠陥（炭素-Si析出物、End-of-Range欠陥）を有し、それらが高い重金属ゲッタリング能力をもつ。今回は、CH₃Oイオン注入SiウェーハにおけるEnd-of-Range欠陥の熱的分解挙動を加熱TEMその場観察法によって明らかにした結果について報告する。