[10p-N303-1~19] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [10p-N303-10] 【注目講演】Tb添加Al_xGa_1-xNの有機金属気相エピタキシャル成長と発光特性

〇駒井 亮太¹、市川 修平^1,2、半澤 弘昌³、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.阪大院基礎工)

キーワード：半導体、フォトルミネッセンス、希土類

Tb³⁺は4f殻内遷移に起因する発光線幅の狭い緑色光を示し、その発光波長は電流注入量や動作時の温度変化に対し、極めて高い安定性を有することが知られている。しかしながら、有機金属気相エピタキシャル(OMVPE)法により成長したTb添加GaN膜では、室温下でのTb発光が極めて微弱なのが現状である。本研究では、OMVPE法によりTb添加AlGaN膜を成長し、室温において極めて明瞭なTb発光を確認したので報告する。