[10p-N303-1~19] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [10p-N303-16] 半導体発光冷却の実現に向けたCsPbBr₃/Cs₄PbBr₆バルク結晶からのアンチストークス発光評価

〇梶野 祐人¹、大竹 柊司¹、山田 琢己²、音 賢一¹、金光 義彦²、山田 泰裕¹ (1.千葉大院理、2.京大化研)

キーワード：ハロゲン化鉛ペロブスカイト、電子-格子相互作用、ナノ結晶

ハロゲン化鉛ペロブスカイトは、高品質な半導体材料として太陽電池やLEDなどの光デバイスへの応用が期待されている。また、0次元ペロブスカイトであるCs₄PbBr₆結晶内部に埋め込まれたCsPbBr₃ナノ結晶は極めて高効率な緑色発光を示し、その光物性に注目が集まっている。本研究では、高効率発光材料のユニークな光デバイス応用である半導体発光冷却の実現可能性について、基礎光学特性及び発光励起スペクトル測定から議論した。