[10p-N303-1~19] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[10p-N303-17] Growth of SnO₂ nanowires by a vapor transport method and evaluation

〇Yuta Shiomi¹, Shunji Ozaki¹ (1.Gunma Univ.)

Keywords:semiconductor, nanowire

SnO₂は室温で~3.6 eVのバンドギャップエネルギーを有する酸化物半導体である。結晶構造は、正方晶系に属しルチル型構造をとる。ワイヤー状の構造では、表面積がバルクに比べ大きくなることから、高感度ガスセンサーなどへの応用が期待されている。本研究では、簡便な装置構造にもかかわらず、容易にナノメートルオーダーの結晶を得ることができるガス輸送気相成長法を用いてSnO₂ナノワイヤーの作製を行ったので報告する。