[10p-N303-1~19] 13.8 光物性・発光デバイス

[10p-N303-17] ガス輸送気相成長法によるSnO₂ナノワイヤーの作製と評価

〇潮見 侑汰¹、尾崎 俊二¹ (1.群大理工)

キーワード：半導体、ナノワイヤー

SnO₂は室温で~3.6 eVのバンドギャップエネルギーを有する酸化物半導体である。結晶構造は、正方晶系に属しルチル型構造をとる。ワイヤー状の構造では、表面積がバルクに比べ大きくなることから、高感度ガスセンサーなどへの応用が期待されている。本研究では、簡便な装置構造にもかかわらず、容易にナノメートルオーダーの結晶を得ることができるガス輸送気相成長法を用いてSnO₂ナノワイヤーの作製を行ったので報告する。