[10p-N304-1~10] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[10p-N304-4] Development of Measuring Electrical Characteristics of MOS Structures with GeO₂ Films Adsorbing H₂O Molecules

〇Kenta Arima¹, Yohei Wada¹, Shuto Sano¹, Kentaro Kawai¹, Kazuya Yamamura¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:semiconductor surface, water adsorption, MOS device

我々は、熱酸化後のGeO₂/Ge構造を高真空中に導入し、一定の水蒸気雰囲気に曝露した後に、大気に取り出すことなく、電極の形成とMOS構造の電気特性測定が可能な、反応チャンバー一体型の測定装置の開発を進めている。今回は、熱酸化後に300℃の真空加熱を施し、Au電極を形成したMOS構造と、電極形成前に水蒸気雰囲気下に暴露した試料を準備し、得られた容量－電圧特性の違いについて考察した。