[10p-N306-1~18] 17.2 グラフェン

[10p-N306-6] ランダウ量子化二層グラフェンのサイクロトロン共鳴における多体効果

〇守谷 頼¹、朴 士彬¹、増渕 覚¹、渡邊 賢司²、谷口 尚^2,1、町田 友樹^1,3 (1.東大生研、2.物材機構、3.CREST-JST)

キーワード：グラフェン

放物型のバンド構造を持つ通常の半導体の二次元電子系では、ランダウ準位間遷移（サイクロトロン共鳴: CR）は電子の多体効果の影響を受けない。これはKohnの定理として知られている [1]。非放物型のバンド構造を持つグラフェン(Gr)ではKohnの定理が成立しないため、CR測定を用いてその多体効果を評価する事ができる。この手法を用いて、これまでに単層Grの多体効果が精密に測定されているが 、二層以上のGrにおいては報告例がない。我々は、h-BN/二層グラフェン(BLG)/h-BN構造において、低温強磁場での赤外光起電力測定(波長: 10.675 micron)を行いBLGのCRと多体効果の関係を調べた
[1] W. Kohn, Phys. Rev. 123, 1242 (1961).