[10p-N307-1~14] 7.1 X-ray technologies

[10p-N307-1] Development of CO₂ laser-produced plasma beyond EUV source for next generation semiconductor lithography

〇Takeshi Higashiguchi¹, Ryosuke Kaneda¹, Yuto Nakayama¹, Juri Ogawa¹, Hiromu Kawasaki¹ (1.Utsunomiya Univ.)

Keywords:EUV source, laser-produced plasma

波長13.5 nmの極端紫外光による半導体リソグラフィー露光装置が稼働し始めた．これにより，回路線幅は5 nm領域に入り，回路線幅を3 nmにするとの発表があり，回路線幅の微細化が進んでいる．波長13.5 nmにはMo/Si多層膜鏡がある．1.5 nmノードを実現するために光源を短波長化し，beyond EUV光源を考えるとLaN/La/Bを用いる多層膜鏡が有望である．この波長域のBEUVプラズマ光源の基礎研究は2010年ごろに開始され，ほぼ基礎パラメータは明らかになっているものの，検討すべき課題は多いと考えている．本発表では，希土類元素によるUTA (unresolved transition array) 光源の高出力化について，CO₂レーザーパルスを駆動レーザーとしたとき，最適化をどのように決めるかについて議論する予定である．