[10p-N307-1~14] 7.1 X-ray technologies

[10p-N307-3] Feasibility study of high brightness source in 6-nm spectral region

Shamit Roy¹, Yuto Nakayama¹, Hiromu Kawasaki¹, 〇Takeshi Higashiguchi¹ (1.Utsunomiya Univ.)

Keywords:EUV source, laser-produced plasma

半導体リソグラフィーは非常に多くの分野に拡がりを産業分野である．この中で，光源には量産用高出力光源と検査用高輝度光源の2種類があり，それぞれそのコンセプトは異なっている．後者は多層膜光学素子の欠陥検出などに用いられるものである．半導体ロードマップのひとつには2028年に1.5 nmノードになると記載されている．このまま波長13.5 nmの高輝度光源を検査用EUV顕微鏡に適用できるとよいが，さらなる高解像度が必要になる可能性もある．そこで，波長が6 nm帯の検査用光源について検討している．