2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[10p-N321-1~3] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

2021年9月10日(金) 13:00 〜 13:45 N321 (口頭)

宇野 和行(和歌山大)

13:30 〜 13:45

[10p-N321-3] サファイアr,S面ナノファセット基板上ZnTe(110)薄膜成長に向けたMEE成長層界面の制御(Ⅱ)

〇(M1)小林 昇太郎1、杉本 昂大1、坪井 海人1、小林 正和1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)

キーワード:半導体、結晶成長、ナノファセット

テラヘルツ検出素子応用に向け、サファイア基板上に(110)配向のZnTe薄膜の作製を目指す。近年はr面とS面が周期的かつ連続的に並んだ構造をとるr,S面ナノファセット基板を用い、成長初期工程であるMEE成長層界面の制御を行っている。今回は得られた薄膜の、成長層界面のAFM観察結果及び、膜全体の結晶性についてのX線回折法(θ-2θ法、極点図法)による結果について報告する。