[10p-N323-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[10p-N323-5] PMA-GeO₂のTDS評価とそれを活用した特性の改善

〇飯野 寛貴¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：半導体、ゲルマニウム系半導体