2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[10p-N323-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2021年9月10日(金) 13:00 〜 16:15 N323 (口頭)

山本 圭介(九大)、三谷 祐一郎(都市大)

14:15 〜 14:30

[10p-N323-6] Evaluation of electron and hole slow trap density in Al2O3/GeOx/p-Ge gate stacks by C-V measurements

Mengnan Ke1、Takenaka Mitsuru2、Shinichi Takagi2 (1.Tokyo Univ. of Sci.、2.Univ. of Tokyo)

キーワード:Germanium, MOS interfaces, slow trap