[10p-N323-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[10p-N323-9] LPCVD SiN膜耐圧とN₂アニール温度 (II) ESR解析とFTIR結果

〇宮川 勇人¹、栗田 久嗣²、中村 真貴²、神垣 良昭³ (1.香川大創造工、2.ローム浜松、3.EBL)

キーワード：窒化膜、電子スピン共鳴、フーリエ赤外分光

LP-CVD成膜の SiN膜の耐圧不良（絶縁破壊）の主たる原因となる結合欠陥の種類やその存在する部位の特定はなされていない。本研究では、電子スピン共鳴（ESR）法およびフーリエ変換赤外分光（FTIR）法をN₂アニールしたSiN膜試料に適用し、特に微細なESRスペクトルの信号分離を高精度に行うことで絶縁破壊の原因となる結合欠陥の種類の特定を試みた。